陶瓷金属连接器，氮化铝陶瓷引领新风潮

近年来，陶瓷金属连接器因其在电气汽车、电子电气产品、半导体封装以及IGBT模块等领域的重要应用获得了广泛关注和赞誉。在此背景下，陶瓷金属封接技术取得显著进步，其卓越的性能表现为耐高压和优异的密封性。

在新能源汽车、电子电器产业以及半导体封装与IGBT模块技术迅猛发展的背景下，陶瓷与金属复合零部件正日益发挥重要作用。因此，我司积极引进"钨锰法"创新技术，以提升部件的散热效率及金属化金属的导电性能。

当前，直接敷铜法已然成为普遍运用的氧化铝陶瓷金属化方法，实现了材质间的紧密连接，无需借助外物辅助。然而，科研人员仍在不断寻求氧化铝陶瓷的优质替代品，以改善其热膨胀速率偏高以及散热能力受限的弊端。

由于其卓越的低温膨胀性能及优良的热传导特性，氮化铝（ALN）陶瓷已经在科技研发领域引起广泛关注。其金属化处理主要有直接敷铜法（DBC）和活性金属化粘结法（AMB）两种方式，而这使得 ALN 具有极高的传热性能，因此常常被推荐作为优质基板材料和高度稳定电力电子模块的首选。

尽管硅氮化物（Si3N4）底层陶瓷虽相较于氮化铝（AlN）其导热性能略显逊色，然而近年来其受关注程度不减反增。因它并不能完全取代AlN，因此被限制在部分应用领域用来替换高端AlN材质，作为替代高能设备散热组件的新型选择。值得注意的是，因为该种陶瓷表面形成的天然防护氧化层构造与AlN有所不同，故不建议使用传统AlN外壳的表面处理方法。

近年来，科研领域开始运用高性能的金属催化剂对微量元素进行施加改良，以提升硅氮化物陶瓷金属化工艺。现如今，业界主要以银铜钛三元合金为主流焊料，然而此合金的熔点仅为1200K左右，而且抗氧能力略显不足，这严重制约了其在实际生产中的应用。

据业界专家解读，优秀的散热性能与相对较低的制造成本使得氮化铝陶瓷基板在照明领域尤其是高亮度 LED 及紫外线 LED 市场中日益得到普遍认同与运用。

氮化铝和氮化硅覆盖陶瓷基板由于杰出的绝缘性能、优越的导热效果及合适的热膨胀系数，被视为理想的IGBT与功率模块封装材料。众多如稳健公司等IGBT模块制造商正纷纷采用丸和公司的高品质陶瓷基板。这种优良的氮化铝基板已广泛应用于各产业领域。有望随着氮化硅深具优势的高温传热能力逐步上升，它将会作为未来热门的替代选择，有力促进运营成本的显著下降。

在当前环境趋势中，氮化硅陶瓷覆铜板凭借其优异的焊接稳性和超高可靠性，被视为未来电动汽车高端功率模块的关键组件之一。

资深研究人员明确指出，随着新能源汽车及电子电气技术的迅速发展，陶瓷与金属线缆连接器的重要性日益凸显。借助钨锰制作流程，我们成功优化了材料的物理特性并提高了散热效率，同时也强化了金属薄膜的导电潜力。这一科技突破有力地奠定了我们未来在此领域深度探索的坚实基础。

陶金封接技以其优异的导热性及良好的导电性，在诸如新能源汽车、电子电气设备、芯片组件以及IGBT模组等多领域得到广泛应用，其推动力不可低估。科技日新月异，新型陶瓷基板材料应时而至，为该领域提供了多元化和创新性的解决方案可能。然而，这也无疑给产业发展提出了新的难题和挑战。

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